ВІКІСТОРІНКА
Навигация:
Інформатика
Історія
Автоматизація
Адміністрування
Антропологія
Архітектура
Біологія
Будівництво
Бухгалтерія
Військова наука
Виробництво
Географія
Геологія
Господарство
Демографія
Екологія
Економіка
Електроніка
Енергетика
Журналістика
Кінематографія
Комп'ютеризація
Креслення
Кулінарія
Культура
Культура
Лінгвістика
Література
Лексикологія
Логіка
Маркетинг
Математика
Медицина
Менеджмент
Металургія
Метрологія
Мистецтво
Музика
Наукознавство
Освіта
Охорона Праці
Підприємництво
Педагогіка
Поліграфія
Право
Приладобудування
Програмування
Психологія
Радіозв'язок
Релігія
Риторика
Соціологія
Спорт
Стандартизація
Статистика
Технології
Торгівля
Транспорт
Фізіологія
Фізика
Філософія
Фінанси
Фармакологія


Порядок виконання курсової роботи

Загрузка...

Загалні методичні вказівки

Теоретичні відомості

Курсову роботу студенти виконують для закріплення отриманих теоретичних знань і придбання практичних навичок у галузі матеріалознавства радіоапаратів.

Завдання на проектування

Провести необхідні розрахунки параметрів діелектричних, напівпровідникових, провідникових та магнітних матеріалів.

Зміст курсової роботи

Курсову роботу необхідно виконувати в складі розрахунково-пояснювальної записки (РПЗ) обсягом 25-30 сторінок рукописного тексту формату А4 і графічного матеріалу обсягом один аркуш формату А3.

Пояснювальна записка, як правило, повинна містити такі розділи:

¾ титульний аркуш (приклад оформлення дивись у додатку);

¾ завдання з курсової роботи, підписане викладачем;

¾ зміст (приклад оформлення дивись у доватку);

¾ вступ;

¾ аналіз діелектричних властивостей матеріалу за індивідуальним завданням;

¾ діелектричні та електричні характеристики діелектриків в задачах матеріалознавства;

¾ визначення параметрів деяких напівпровідників;

¾ розрахунки біметалічного

¾ висновки;

¾ список використаної літератури.

У додатку розміщують графічні побудови, які необхідні за змістом завдань, які виконуються.

Оформлення курсової роботи

Розрахунково-пояснювальну записку варто виконувати відповідно до ДСТ 2.105-79. Її друкують або пишуть від руки темно-синім або чорним чорнилом (або кульковою ручкою) на одній стороні аркуша білого паперу формату А4 із вмістом основного напису і додаткових граф за формою 2 ДСТ 2.104-68 для заголовного аркуша і за формою 2а для наступних аркушів.

Розрахунково-пояснювальна записка повинна складатися з розрахунків із необхідними обґрунтуваннями і поясненнями прийнятих рішень, бути стислою і відбивати сутність аналізованих питань.

Формули варто нумерувати арабськими цифрами, розташовуючи їх у круглих дужках із правої сторони аркуша на рівні формули. При розрахунках варто спочатку наводити формули, потім - числові значення всіх розмірів, що входять у формулу, і далі вказувати кінцевий результат. У якості символів і найменувань у формулах варто застосовувати встановлені стандартні позначення. Розшифровування формули варто наводити безпосередньо після її написання. Перший рядок розшифровування символів і числових коефіцієнтів, що входять у формулу, повинні починатися зі слова "де" без двокрапки після нього. Значення кожного символу потрібно давати з нового рядка в тій послідовності, у якій вони приведені у формулі.

При використанні ЕОМ потрібно наводити вихідні дані, розрахункові формули і результаті розрахунку. У РПЗ варто проаналізувати обов'язково декілька варіантів машинного розрахунку, а в додатку представити надруковані результати рахунку.

Текст РПЗ необхідно ілюструвати схемами, кресленнями, графіками, таблицями, фотографіями тощо. Ілюстрації потрібно розташовувати на окремих аркушах найближче до відповідного тексту і нумерувати арабськими цифрами. Ілюстрації повинні мати тематичну назву, що наводять під рисунком. Всі написи в таблицях і текст під рисунками варто оформляти стандартним шрифтом.

Посилання на літературні джерела потрібно наводити в міру їхнього нагадування в тексті, вказуючи в прямих дужках порядковий номер джерела за списком, розміщеному наприкінці РПЗ. У необхідних випадках (при посиланні на числові значення для розрахунків) варто вказувати в дужках номер таблиці, графіка або сторінки (наприклад, [10, с. 115]).

У списку літератури відповідно до ДСТ 7.1-76 указують: 1) для журнальних статей - прізвище й ініціали автора(-ів), точну назву статті, найменування журналу, рік, том, номер сторінки, де опублікована стаття; 2) для книг - прізвище й ініціали авторів, точну назву книги, місто і видавництво, рік випуску, кількість сторінок.

Всі додатки до РПЗ потрібно нумерувати і перераховувати в змісті. Кожний додаток варто починати з нового аркуша. У правому верхньому куту поміщають слово "Додаток" із порядковим номером, а тематичний заголовок наводять нижче.

Порядок виконання курсової роботи

Курсова робота являє собою самостійну роботу студента, що він робить у відведений для самостійних занять час. Керівник роботи доводить до студентів терміни виконання курсової роботи, що знаходяться в суворій відповідності з графіком навчального процесу. Терміни виконання роботи керівник контролює на консультаціях з курсового проектування. Студент зобов'язаний здавати керівнику результати своєї роботи не менше одного разу в два тижні.

Захист курсової роботи

Захист - форма перевірки якості виконання курсової роботи - містить у собі коротку (5-8 хвилин) доповідь студента з основних результатів курсової роботи перед комісією, що складається з двох викладачів, і відповіді на питання викладачів. Студент повинен дати пояснення по суті роботи, проявити достатній рівень теоретичної підготовки й вміння застосувати його для розв'язання конкретної задачі.

Результати захисту оцінюють оцінкою за стобальною системою. Студент, що не виконав і не здав курсову роботу у встановлений термін або не захистив її, має академічну заборгованість.

Короткі теоретичні відомості

Діелектричні матеріали

 

Полярізованість Р більшості діелектриків пропорційна напруженості електричного поля Е:

Р=eо(e - 1)Е,

 

де eо= 8,85×10-12 Ф/м – електрична стала;

e - відносна діелектрична проникність.

 

Залежність діелектричної проникності газу e від тиску р підкоряється співвідношенню:

 

de/dp = (e - 1)/p.

Відносна діелектрична проникність діелектричної композиції на основі двох діелектриків визначається формулою Ліхтенеккера

 

lne =Q1 lne1 + Q2 lne2,

 

де Q1 та Q2 – об’ємні концентрації компонентів;

e, e1 та e2 – відносні діелектричні проникності діелектричної композиції та компонентів 1 і 2 відповідно.

 

Температурний коефіцієнт ae відносної діелектричної проникності e:

 

 

Стала часу конденсатора

tо= RізС,

де Rіз опір ізоляції, або опір діелектрика

С – ємність конденсатора.

Значення tо визначається співвідношенням:

 

 

де U – напруга на електродах конденсатора після часу t з моменту відключення його від джерела напруги;

Uонапруга, до якої був зарядженій конденсатор ( при t = 0 ).

 

Тангенс кута діелектричних втрат при паралельної схемі заміщення діелектрика

 

де w – циклічна частота, с-1;

Срємність діелектрика при паралельної схемі заміщення, Ф;

R – опір діелектрика, Ом.

 

Потужність розсіювання Ра, Вт при напрузі U, В

 

Ра=U2wCptgd.

 

Тангенс кута діелектричних втрат при послідовної схемі заміщення діелектрика

 

 

де Сsємність діелектрика при послідовної схемі заміщення, Ом;

r – опір діелектрика, Ом.

Потужність розсіювання при напрузі U

 

Напруга теплового пробою може бути визначена шляхом порівняння потужності, яка розсіюється у діелектрику з потужністю, яка розсіюється в навколишньому середовищі. Спрощений вираз щодо пробивної напругі Uпр, В має від:

де К=1,15×105 – чисельній коефіцієнт;

s - коефіцієнт теплопередачі діелектрик – метал електродів, Вт/(м2×К);

h – товщина діелектрика, м;

f – частота, Гц;

e - відносна діелектрична проникність;

a - температурний коефіцієнт тангенса кута діелектричних втрат, К-1;

tg do – тангенс кута діелектричних втрат при температурі навколишнього середовища.

 

Напруга теплового пробою за теорією Фока визначається з наступного виразу:

 

 

де lТ – питома теплопровідність діелектрика, Вт/(м×К);

j(с) – функція, значення якої для плоских зразків знаходять з графіка.

 

 

Значення с обчислюється за формулою:

 

 

де lт1 – питома теплопровідність матеріалу електродів, Вт/(м×К);

s - коефіцієнт теплопередачі діелектрик – метал електродів, Вт/(м2×К);

l – товщина електрода, м.

 

Напівпровідникові матеріали

Положення Рівня Фермі у власному напівпровіднику визначається виразом:

 

 

де Еі – рівень енергії, який відповідає середині забороненої зони, Дж;

- ефективні густини станів щодо дірок валентної зони та електронів зони провідності відповідно;

mc, mv – ефективні маси електронів та дірок відповідно, кг;

h = 6,62×10-34 Дж/c – стала Планка;

k =1,38×10-23 Дж/K стала Больцмана;

T – абсолютна температура, К.

Власна концентрація носіїв заряду:

 

 

де DЕ – ширина забороненої зони напівпровідника, Дж;

Nc, Nv - ефективні густини станів щодо електронів зони провідності та дірок валентної зони відповідно, м-3.

 

Період кристалічної ґратки речовин кубічної сингонії можна обчислити за формулою:

 

де NA = 6,02×1023 моль-1 - число Авогадро;

М – молярна маса, кг/моль,

d – густина речовини, кг/м3.

 

Положення Рівня Фермі у домішковому напівпровіднику відносно дна зони провідності визначається виразом:

 

де n – концентрація електронів в домішковому напівпровіднику, м-3;

Nc – ефективна густина станів щодо електронів зони провідності, м-3.

 

Закон Ома у диференційної формі має вигляд:

J=sE = e(nmn+pmp)E,

де J –щільність струму, А;

е=1,6×10-19 Кл – заряд електрону;

s - питома електропровідність, Ом-1×м-1;

n - концентрація електронів, м-3;

p - концентрація дірок, м-3;

mn - рухомість електронів, м2/(В×с);

mp –рухомість дірок, м2/(В×с);

Е - напруженість електричного поля, В/м.

Згідно закону „діючих мас” власна концентрація носіїв заряду у напівпровіднику

ni2 = n×p,

де n - концентрація електронів, м-3;

p - концентрація дірок, м-3.

Провідникові матеріали

Енергія Фермі в металі визначається

 

 

де h = 6,62×10-34 Дж/c – стала Планка;

NA = 6,02×1023 моль-1 - число Авогадро;

d – густина речовини, кг/м3;

А – молярна маса речовини, кг/моль.

m = 9,1×10-31 кг - маса вільного електрона, кг.

Магнітні матеріали

Основна крива намагнічування - залежність індукції магнітного поля в речовині від напруженості зовнішнього магнітного поля. З основної кривої намагнічування, можна побудувати залежність статичної та динамічної магнітної проникності від напруженості магнітного поля:

 

де m0=4 10-7 Гн/м – магнітна постійна.

Для побудови залежності mд=f(H) необхідно провести графічне диференціювання основній кривої намагнічування для 5-6 точок.

Таблиця 2

Варіант
N1
N2
Варіант
N1
N2
Варіант
N1
N2

Таблиця 3

Варіант
а х b, мм2 10х20 15х25 20х30 25х35 30х40 35х45 50х50 10х10 10х15 15х15 20х20 25х25
d, мм 0,5
Матеріал діелектрика із таблиці 1
U, кВ 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,5 1,3 1,5 1,7 1,9
Варіант
а х b, мм2 10х25 10х30 15х30 15х35 20х40 20х50 25х40 25х50 30х35 35х35 40х40 40х45
d, мм
Матеріал діелектрика із таблиці 1
U, кВ 1,5 1,0 1,3 0,8 2,0 3,0 2,5 1,6 5,0 2,8 4,0 1,4
Варіант
а х b, мм2 20х25 20х30 25х30 25х35 30х40 25х50 20х40 25х50 30х35 35х35 40х40 40х45
d, мм
Матеріал діелектрика із таблиці 1
U, кВ 4,5 2,0 2,3 3,8 5,0 5,0 3,5 4,6 2,0 6,8 5,0 3,4
Варіант
а х b, мм2 10х15 15х30 20х35 25х40 30х35 20х50 25х45 25х60 30х25 25х35 40х40 40х45
d, мм
Матеріал діелектрика із таблиці 1
U, кВ 1,5 3,0 3,5 3,4 4,0 6,0 2,5 5,2 3,6 5,9 4,0 2,8

Таблиця 4

Варіант
N1
N2
d, мм
d1, мм
Варіант
N1
N2
d, мм
d1, мм
Варіант
N1
N2
d, мм
d1, мм
Варіант
N1
N2
d, мм
d1, мм

 

Таблиця 5

Варіант Задача
Варіант   Задача
Варіант   Задача

 

1. Знайти положення рівня Фермі у власному германії при 300 К, якщо відомо, що ширина його забороненої зони = 0,665 еВ, а ефективні маси густини станів для дірок валентної зони і для електронів зони провідності відповідно дорівнюють: = 0,388 , = 0,55 , де - маса вільного електрона.

2. Знайти положення рівня Фермі у власному кремнії при 300 К, якщо відомо, що ширина його забороненої зони = 1,12 еВ, а ефективні маси густини станів для дірок валентної зони і для електронів зони провідності відповідно дорівнюють: = 0,56 , = 1,05 , де - маса вільного електрона.

3. Знайти положення рівня Фермі у власному арсеніді галію при 300 К, якщо відомо, що ширина його забороненої зони = 1,43 еВ, а ефективні маси густини станів для дірок валентної зони і для електронів зони провідності відповідно дорівнюють: = 0,48 , = 0,067 , де - маса вільного електрона.

4. Зразок напівпровідника містить 0,17 моль речовини. Енергетична протяжність зони провідності для цього матеріалу складає 10,2 еВ. Визначити середній енергетичний зазор між сусідніми рівнями зони. Як зміниться цей зазор, якщо об'єм напівпровідника збільшити в два рази?

5. Рівень Фермі в напівпровіднику знаходиться на 0,3 еВ нижче дна зони провідності. Яка ймовірність того, що при кімнатній температурі енергетичні рівні, які розташовані на 3kT вище зони провідності, зайняти електронами? Яка ймовірність того, що на рівні, який розташованій у вершині валентної зони, є дірки, якщо ширина забороненої зони напівпровідника 1,1 еВ?

6. Рівень Фермі в напівпровіднику знаходиться на 0,4 еВ вище дна валентної зони. Яка ймовірність того, що при кімнатній температурі енергетичні рівні, які розташовані на 3kT нижче валентної зони, зайняти дірками? Яка ймовірність того, що на рівні, який розташованій на дні зони провідності, є електрони, якщо ширина забороненої зони напівпровідника 1,2 еВ?

7. Визначити ймовірність заповнення електронами енергетичного рівня, який розташованій на 10kT вище рівня Фермі. Як зміниться ймовірність заповнення цього рівня електронами, якщо температуру збільшити в два рази?

8. Визначити ймовірність заповнення електронами енергетичного рівня, який розташованій на 20kT нижче рівня Фермі. Як зміниться ймовірність заповнення цього рівня електронами, якщо температуру зменшити в два рази?

9. Рівень Фермі напівпровідника знаходиться на 0,01 еВ вище вершини валентної зони. Розрахувати: а) імовірність появи дірки на верхньому рівні валентної зони при 300 і при 50 К; б) імовірність находження електрона на дні зони провідності при 300 К при ширині забороненої зони напівпровідника 0,67 еВ.

10. Визначити, на скільки розрізняються імовірності заповнення електронами нижнього рівня зони провідності у власному германії та власному кремнії: а) при 300 К; б) при 100 К.

11. Визначити положення рівня Фермі при T = 300 К у кристалах германію, які леговані миш'яком до концентрації 1023 м–3.

12. Визначити, на скільки розрізняються імовірності заповнення дірками верхнього рівня валентної зони у власному германії та власному кремнії: а) при 273 К; б) при 150 К.

13. Визначити положення рівня Фермі при T = 250 К у кристалах кремнію, які леговані фосфором до концентрації 1022 м–3.

14. Розрахувати власну концентрацію носіїв заряду в кремнії при T = 300 К, якщо ширина його забороненої зони = 1,12 еВ, а ефективні маси густини станів =1,05 , =0,56 .

15. Концентрація електронів провідності в напівпровіднику дорівнює 1018 м–3. Визначити концентрацію дірок у цьому напівпровіднику, якщо відомо, що власна концентрація носіїв заряду при цієї ж температурі дорівнює 1016 м–3.

16. Розрахувати власну концентрацію носіїв заряду в арсеніді галію при T = 300 К, якщо ширина його забороненої зони = 1,43 еВ, а ефективні маси густини станів = 0,067 ; = 0,48

17. Визначити положення рівня Фермі та концентрацію неосновних носіїв заряду при T = 400 К у кремнії, легованому бором до концентрації 1023 м–3. Ширина забороненої зони кремнію = 1,12 еВ, а ефективні маси густини станів =1,05 , =0,56 . Вказівка. Врахувати, що при Т = 400 К всі атоми бора, які утворюють у кремнії мілкі акцепторні рівні, повністю іонізовані.

18. Концентрація дирок провідності в напівпровіднику дорівнює 5×1017 м–3. Визначити концентрацію електронів у цьому напівпровіднику, якщо відомо, що власна концентрація носіїв заряду при цієї ж температурі дорівнює 2×1016 м–3.

19. Рівень Фермі в кремнії при 300 К розташовано на 0,2 еВ нижче дна зони провідності. Розрахувати рівноважну концентрацію електронів і дірок у цьому напівпровіднику. Ширина забороненої зони кремнію = 1,12 еВ, а ефективні маси густини станів =1,05 та =0,56 .

20. Рівень Фермі в германії при 300 К розташовано на 0,1 еВ вище вершини валентної зони. Розрахувати рівноважні концентрації електронів і дірок у цьому матеріалі. Ширина забороненої зони германія =0,665 еВ, а ефективні маси густини станів для дірок валентної зони і для електронів зони провідності, відповідно дорівнюють: = 0,388 , = 0,55 , де – маса вільного електрона

21. У власному германії ширина забороненої зони при температурі 300 К дорівнює 0,665 еВ. На скільки потрібно повисіти температуру, щоб кількість електронів у зоні провідності збільшилась у два рази? Температурною зміною ефективної густини станів для електронів і дірок при розрахунках знехтувати.

22. При кімнатній температурі в германії ширина забороненої зони = 0,665 еВ, а власна концентрація носіїв заряду ni = 2,1×1019 м–3. У скільки разів зміниться власна концентрація ni, якщо температуру підняти до 200°С. Ефективні маси густини станів для дірок валентної зони і для електронів зони провідності, відповідно, дорівнюють: = 0,388 , = 0,55 , де – маса вільного електрону. Коефіцієнт температурної зміни ширини забороненої зони b = –3,9´10–4 еВ/К.

23. У власному германії ширина забороненої зони при температурі 300 К дорівнює 0,665 еВ, а власна концентрація носіїв заряду ni = 2,1×1019 м–3. Ефективні маси густини станів для дірок валентної зони і для електронів зони провідності відповідно дорівнюють: = 0,388 , = 0,55 , де – маса вільного електрона. Коефіцієнт температурної зміни ширини забороненої зони b = –3,9´10–4 еВ/К. Визначити, як зміниться концентрація дірок германія, якої містить милкі донори в концентрації Nd = 1022 м–3, при його нагріванні від 300 до 400 К.

24. Знайти повну концентрацію іонізованих домішок Nи в напівпровіднику n-типу, якщо концентрація компенсуючіх акцепторів Nа, а концентрація основних носіїв заряду n.

25. Розрахувати власну концентрацію носіїв заряду в арсеніді галію при температурі 300 і 500 К, якщо ефективні маси густини станів = 0,067 ; = 0,48 , а температурна зміна ширини забороненої зони підкоряється виразу =1,522— 5,8×10–4Т2/(Т+300).

26. Визначити положення рівня Фермі при температурі Т = 300 К в арсеніді галію, якій легований телуром до концентрації Nте =1023 м–3. Ефективні маси густини станів = 0,067 ; = 0,48 , а температурна зміна ширини забороненої зони підкоряється виразу =1,522— 5,8×10–4Т2/(Т+300). Пояснити, чому і як зміщається рівень Фермі цього напівпровідника зі зниженням температури.

27. Розрахувати власну концентрацію носіїв заряду в арсеніді галію при температурі 400 і 450 К, якщо ефективні маси густини станів = 0,067 ; = 0,48 , а температурна зміна ширини забороненої зони підкоряється виразу =1,522— 5,8×10–4Т2/(Т+300).

28. Розрахувати, у скількох разів розрізняються рівноважні концентрації дірок при кімнатній температурі в кристалах кремнію й арсеніду галію, що мають однакову концентрацію донорних домішок Nд = 1021 м–3. Ширина забороненої зони кремнію = 1,12 еВ, а ефективні маси густини станів =1,05 , =0,56 .

29. Визначити, як зміниться концентрація електронів в арсеніді галію, легованому цинком до концентрації NZn = 1022 м–3 при підвищенні температури від 300 до 500 К. Вважати, що при 300 К всі атоми цинку повністю іонізовані.

30. Кристал арсеніду індію легований сіркою так, що надлишкова концентрація донорів Nд–Nа =1022 м–3. Чи можна вважати, що при температурі Т=300 °С електричні параметри цього напівпровідника близькі параметрам власного арсеніду індію, якщо ефективні маси густини станів для електронів = 0,023 , для дірок =0,43 , а ширина забороненої зони (еВ) InAs змінюється з температурою за законом 0,462–3,5×10– 4 Т.

31. Розрахувати положення рівня Фермі при Т = 300 К в кристалах германія, що містять м-3 атомів миш'яку і м-3 атомів галію.

32. Розрахувати число атомів в одиниці об'єму кристала кремнію при температурі 300 К, якщо період кристалічної ґратки дорівнює 0,54307 нм.

33. Розрахувати положення рівня Фермі при Т = 300 К в кристалах кремнія, що містять 5×1018 м-3 атомів бору і 1018 м-3 атомів фосфору.

34. Розрахувати число атомів в одиниці об'єму кристала германію при температурі 300 К, якщо період кристалічної ґратки дорівнює 0,56503 нм.

35. Визначити число атомів галію і миш'яку в одиниці об'єму кристала арсеніду галію GaAs, якщо відомо, що щільність матеріалу при 300 К дорівнює 5,32 Мг/м3 .

36. Розрахувати період кристалічної ґратки антимоніду індію InSb, якщо відомо, що щільність кристалів досконалій структури і високої чистоти складає 5,78 Мг/м3. Виконати аналогічний розрахунок для кристалів кремнію і германія, прийнявши їхні щільності рівними 2,3283 і 5,3267 Мг/м3, відповідно.

37. У кристалах арсеніду галію на кожні 106 атомів галію приходиться один атом цинку. Вважаючи, що ефективна маса густини станів для дірок валентної зони mv = 0,48m0, знайти положення рівня Фермі при 300 К.

38. У наближенні моделі водень подібного атома розрахувати для кремнію германія енергію іонізації донора DWд і боровський радіус його електронної орбіти rд. При розрахунку ефективну масу електронів mn у кремнії і германії прийняти рівної відповідно 0,5mo і 0,2mo. Діелектричні проникності напівпровідників: eSi = 12,5; eSi = 16.

39. В арсеніді галію ефективна маса електронів mn=0,07mo, а діелектрична проникність e = 13. Визначити, при якій мінімальній концентрації донорів стануть помітні ефекти, зв'язані з перекриттям електронних оболонок сусідніх домішкових атомів.

40. У наближенні моделі водень подібного атома оцінити, у скількох разів відрізняються енергії іонізації донорів у кремнії й в арсеніді галію, якщо ефективні маси електронів відповідно дорівнюють 0,5mо і 0,067mо, а діелектричні проникності цих матеріалів: eSi = 12,5; eGaAs = 13,l.

41. Визначити положення рівня Фермі в кристалі арсеніду галію, легованому цинком до концентрації 1023 м-3 при температурі: а) 300 К; б) 400 К. Вважати, що при кімнатній температурі всі атоми цинку іонізовані.

42. У кристалах арсеніду галію розчинено 10-5 ат.% телуру. Знайти положення рівня Фермі щодо середини забороненої зони при Т = 500 К. Ефективні маси густини станів = 0,067 ; = 0,48 , а температурна зміна ширини забороненої зони підкоряється виразу =1,522— 5,8×10–4Т2/(Т+300). Щільність арсеніду галію d = 5,32 Мг/м3

43. Визначити положення рівня Фермі в кристалі арсеніду галію, легованому цинком до концентрації 1022 м-3 при температурі: а) 350 К; б) 420 К. Вважати, що при кімнатній температурі всі атоми цинку іонізовані.

44. В епітаксійних шарах арсеніду галію надлишкова концентрація донорів Nд — Na = . Визначити положення рівня Фермі і концентрацію неосновних носіїв заряду при температурі 500 K. Ефективні маси густини станів = 0,067 ; = 0,48 , а температура зміна ширини забороненої зони підкоряється виразу =1,522— 5,8×10–4Т2/(Т+300).

45. Встановлено, що в кристалі арсеніду галію масова частка сірки 10-5 % і масова частка цинку 10-5%. Визначити положення рівня Фермі при температурі 1000 К. Вважати густину арсеніду галію d = 5,32 Мг/м3

4

Загрузка...

© 2013 wikipage.com.ua - Дякуємо за посилання на wikipage.com.ua | Контакти