ВІКІСТОРІНКА
Навигация:
Інформатика
Історія
Автоматизація
Адміністрування
Антропологія
Архітектура
Біологія
Будівництво
Бухгалтерія
Військова наука
Виробництво
Географія
Геологія
Господарство
Демографія
Екологія
Економіка
Електроніка
Енергетика
Журналістика
Кінематографія
Комп'ютеризація
Креслення
Кулінарія
Культура
Культура
Лінгвістика
Література
Лексикологія
Логіка
Маркетинг
Математика
Медицина
Менеджмент
Металургія
Метрологія
Мистецтво
Музика
Наукознавство
Освіта
Охорона Праці
Підприємництво
Педагогіка
Поліграфія
Право
Приладобудування
Програмування
Психологія
Радіозв'язок
Релігія
Риторика
Соціологія
Спорт
Стандартизація
Статистика
Технології
Торгівля
Транспорт
Фізіологія
Фізика
Філософія
Фінанси
Фармакологія


Варіанти індивідуальних завдань до курсовоЇ роботи

Завдання 1. Аналіз діелектричних властивостей та галузі застосування М

Дайте розгорнуту відповідь на наступне питання. Номер питання відповідає номеру Вашого варіанту роботи. (Примітка.Замість М у змісті пояснювальної записки та у відповдної назві структурного розділу необхідно вказати матеріал або групу матеріалів за вашим варіантом.)

1. Основні газоподібні діелектрики. Їхні властивості і галузі застосування.

2. Процес отримання, властивості і застосування трансформаторного масла. Процеси, які протікають в маслі при роботі трансформатора, та наслідки цих процесів.

3. Основні синтетичні рідкі діелектрики. Їх властивості і застосування.

4. Полімери. Відмінність між лінійними і просторовими полімерами. Відмінність між термореактивними і термопластичними полімерами. Властивості полімерів.

5. Застосування і властивості основних природних смол.

6. Властивості і застосування основних термопластичних неполярних синтетичних смол.

7. Властивості основних термопластичних полярних синтетичних смол.

8. Властивості і застосування основних термореактивних синтетичних смол.

9. Віскоподібні діелектрики. Основні властивості і галузі застосування.

10. Рослинні масла. Основні властивості і галузі застосування.

11. Властивості бітумів та галузі електроізоляційної техніки, в яких вони використовуються.

12. Властивості компаундів та галузі електроізоляційної техніки, в яких вони використовуються.

13. Властивості клеїв галузі техніки, в яких вони використовуються.

14. Електроізоляційні лаки та їхні основні властивості.

15. Найважливіші види гнучких плівок, їхні властивості та галузі техніки, в яких вони використовуються.

16. Основні властивості волокнуватих електроізоляційних матеріалів, їх переваги і недоліки.

17. Основні види електротехнічних паперів і картонів, їх властивості і галузі застосування.

18. Характеристики найважливіших видів лакотканин та галузі їхнього застосування.

19. Технологія виготовлення пластичних мас та галузі їхнього застосування.

20. Характеристика основних видів шарових пластмас, їх властивості і галузі застосування.

21. Основні види електротехнічних еластомерів та галузі їх застосування.

22. Класифікація електроізоляційних стекол за хімічним складом і призначенням. Характеристика кожної групи матеріалів.

23. Фізико-механічні, електричні та технологічні властивості кварцового скла та галузі його застосування.

24. Властивості, технологія виготовлення та галузі застосування гетинаксу та текстоліту.

25. Склоемалі, їхні властивості і галузі застосування.

26. Скловолокно, властивості і галузі застосування.

27. Ситали, властивості і галузі застосування.

28. Керамічні матеріали. Найважливіші типи керамічних матеріалів і галузі їхнього застосування.

29. Властивості і процес отримання порцеляни. Глазурування порцеляни.

30. Особливості і галузі застосування слюд: мусковіту і флогопіту. Їхня відмінність.

31. Основні групи матеріалів на основі слюд, засоби їхнього виготовлення та галузі застосування.

32. Характеристика електроізоляційних матеріалів на основі азбесту і галузі їхнього застосування.

33. Оксидна ізоляція. Технологія отримання та застосування оксидної ізоляції.

34. Властивості, технологія виготовлення і галузі застосування синтетичних слюд.

35. Властивості і галузі застосування п’езокварцу.

36. Властивості монокристалів, які використовуються у твердотільних лазерах.

37. Піроефект і піроелектрики. Їхні властивості і галузі застосування.

38. Сегнетоелектрики. Їх основні властивості і галузі застосування.

39. Рідкі кристали. Галузі застосування. Основні ефекти, на яких ґрунтується застосування рідких кристалів в індикаторній техніці.

40. Галузі застосування люмінофорів та їхні основні властивості.

Завдання 2. Діелектрична проникність складних діелектриків

Діелектрик плоского конденсатора являє собою поєднання двох матеріалів: N1 і N2. Побудуйте графік залежності діелектричної проникності суміші від відносного об’ємного вмісту означених матеріалів (від 0 до 1), якщо вони: а) включені послідовно; б) включені паралельно. в) розподілені хаотично.

Дані для розрахунків взяти з таблиць 1 та 2. (N1, N2 – номера матеріалів в таблиці 1).

Примітка. На початку рішення задачі наведіть стислу характеристику матеріалів N1 i N2.

 

Таблиця 1 – Електричні параметрі діелектричних матеріалів

 

Матеріал e (f=1 кГц) tgd (f=1 кГц) rv, Oм×м rs, Ом/ Eпр, МВ/м
Безлужне скло 6,0 2×10-4 1016 1016
Вініпласт 3,9 0,02 1013 1013
Гетинакс 6,0 0,06 1010 1010
Ебоніт 3,6 0,05 1014 1014
Епоксидні компаунди 4,5 0,04 1013 1013
Епоксидні лаки 4,2 0,015 1011 1013
Ескапон 3,0 5×10-4 1015 1016
Ізоляторний фарфор 7,0 0,02 1011 1011
Капрон 5,5 0,06 1011 1010
Мікалекс 7,0 0,07 1012 1012
Папір 7,0 0,005 1011 1013
Поліамідні смоли 5,0 0,05 1011 1011
Полівінілхлорид 4,0 0,03 1013 1014
Поліетилен 2,3 3,5×10-4 1015 1014
Поліетілентерефталат (лавсан) 3,2 0,02 1014 1015
Полікарбонат 3,0 0,02 1015 1015
Поліметілметакрилат (органічне скло) 3,1 0,025 1012 1012
Полістирол 2,5 3×10-4 1016 1015
Ситал 7,5 10-3 1012 1012
Склотекстоліт 7,0 0,02 1011 1010
Слюда-мусковіт 7,0 3×10-4 1013 1012
Слюда-флогопіт 6,5 1,5×10-3 1012 1012
Фторопласт-3 3,0 0,015 1015 1016
Фторопласт-4 2,1 2,5×10-4 1016 1017
Фенолформальдегідні смоли (бакеліт) 4,5 0,01 1011 1011
Церезин 2,2 2×10-4 1014 1014
Ультрафарфор 8,0 5×10-4 1015 1015
Текстоліт 8,0 0,07

Таблиця 2

Варіант
N1
N2
Варіант
N1
N2
Варіант
N1
N2

Завдання 3. Визначення параметрів конденсатора

На електроди конденсатора з розмірами a x b подано напруга U. Відстань між електродами d. Визначити ємність С, опір ізоляції Rіз , струм крізь конденсатор при постійної напрузі, а також величину діелектричних втрат Pa а) при постійної напрузі, б) при змінної напрузі частотою 50 Гц; в) при змінної напрузі частотою 400 Гц.

Дані для розрахунків взяти з таблиць 1 та 3.

Примітка. На початку рішення задачі наведіть стислу характеристику матеріалу.

 

Таблиця 3

Варіант
а х b, мм2 10х20 15х25 20х30 25х35 30х40 35х45 50х50 10х10 10х15 15х15 20х20 25х25
d, мм 0,5
Матеріал діелектрика із таблиці 1
U, кВ 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,5 1,3 1,5 1,7 1,9
Варіант
а х b, мм2 10х25 10х30 15х30 15х35 20х40 20х50 25х40 25х50 30х35 35х35 40х40 40х45
d, мм
Матеріал діелектрика із таблиці 1
U, кВ 1,5 1,0 1,3 0,8 2,0 3,0 2,5 1,6 5,0 2,8 4,0 1,4
Варіант
а х b, мм2 20х25 20х30 25х30 25х35 30х40 25х50 20х40 25х50 30х35 35х35 40х40 40х45
d, мм
Матеріал діелектрика із таблиці 1
U, кВ 4,5 2,0 2,3 3,8 5,0 5,0 3,5 4,6 2,0 6,8 5,0 3,4
Варіант
а х b, мм2 10х15 15х30 20х35 25х40 30х35 20х50 25х45 25х60 30х25 25х35 40х40 40х45
d, мм
Матеріал діелектрика із таблиці 1
U, кВ 1,5 3,0 3,5 3,4 4,0 6,0 2,5 5,2 3,6 5,9 4,0 2,8

Завдання 4. Дослідження пробою діелектрику

Діелектрик конденсатора утворюється двома шарами матеріалу N1 товщиною d кожний, між якими є повітряний зазор товщиною d1 мм. До електродів підведена поступово зростаюча напруга. При якій напрузі відбудеться пробій конденсатора? Як зміниться пробивна напруга, якщо повітряний зазор замінити на матеріал N2 з електричною міцністю Епр? Електричну міцність повітря прийняти рівною 10 кВ/см.

Дані для розрахунків взяти з таблиць 1 та 4. N1, N2 – номера матеріалів в таблиці 2.

Примітка. На початку рішення задачі наведіть стислу характеристику матеріалів N1 і N2.

Таблиця 4

Варіант
N1
N2
d, мм
d1, мм
Варіант
N1
N2
d, мм
d1, мм
Варіант
N1
N2
d, мм
d1, мм
Варіант
N1
N2
d, мм
d1, мм

 

Завдання 5. Визначення параметрів напівпровідників

В цьому завданні неохідно вирішити дві задачи. Номера задач 1 та 2 вашого варіанту наведені в таблиці 5. Довідникові дані з властивостей напівпровідників наведені у таблиці 6.

Таблиця 5

Варіант Задача
Варіант   Задача
Варіант   Задача

 

1. Знайти положення рівня Фермі у власному германії при 300 К, якщо відомо, що ширина його забороненої зони = 0,665 еВ, а ефективні маси густини станів для дірок валентної зони і для електронів зони провідності відповідно дорівнюють: = 0,388 , = 0,55 , де - маса вільного електрона.

2. Знайти положення рівня Фермі у власному кремнії при 300 К, якщо відомо, що ширина його забороненої зони = 1,12 еВ, а ефективні маси густини станів для дірок валентної зони і для електронів зони провідності відповідно дорівнюють: = 0,56 , = 1,05 , де - маса вільного електрона.

3. Знайти положення рівня Фермі у власному арсеніді галію при 300 К, якщо відомо, що ширина його забороненої зони = 1,43 еВ, а ефективні маси густини станів для дірок валентної зони і для електронів зони провідності відповідно дорівнюють: = 0,48 , = 0,067 , де - маса вільного електрона.

4. Зразок напівпровідника містить 0,17 моль речовини. Енергетична протяжність зони провідності для цього матеріалу складає 10,2 еВ. Визначити середній енергетичний зазор між сусідніми рівнями зони. Як зміниться цей зазор, якщо об'єм напівпровідника збільшити в два рази?

5. Рівень Фермі в напівпровіднику знаходиться на 0,3 еВ нижче дна зони провідності. Яка ймовірність того, що при кімнатній температурі енергетичні рівні, які розташовані на 3kT вище зони провідності, зайняти електронами? Яка ймовірність того, що на рівні, який розташованій у вершині валентної зони, є дірки, якщо ширина забороненої зони напівпровідника 1,1 еВ?

6. Рівень Фермі в напівпровіднику знаходиться на 0,4 еВ вище дна валентної зони. Яка ймовірність того, що при кімнатній температурі енергетичні рівні, які розташовані на 3kT нижче валентної зони, зайняти дірками? Яка ймовірність того, що на рівні, який розташованій на дні зони провідності, є електрони, якщо ширина забороненої зони напівпровідника 1,2 еВ?

7. Визначити ймовірність заповнення електронами енергетичного рівня, який розташованій на 10kT вище рівня Фермі. Як зміниться ймовірність заповнення цього рівня електронами, якщо температуру збільшити в два рази?

8. Визначити ймовірність заповнення електронами енергетичного рівня, який розташованій на 20kT нижче рівня Фермі. Як зміниться ймовірність заповнення цього рівня електронами, якщо температуру зменшити в два рази?

9. Рівень Фермі напівпровідника знаходиться на 0,01 еВ вище вершини валентної зони. Розрахувати: а) імовірність появи дірки на верхньому рівні валентної зони при 300 і при 50 К; б) імовірність находження електрона на дні зони провідності при 300 К при ширині забороненої зони напівпровідника 0,67 еВ.

10. Визначити, на скільки розрізняються імовірності заповнення електронами нижнього рівня зони провідності у власному германії та власному кремнії: а) при 300 К; б) при 100 К.

11. Визначити положення рівня Фермі при T = 300 К у кристалах германію, які леговані миш'яком до концентрації 1023 м–3.

12. Визначити, на скільки розрізняються імовірності заповнення дірками верхнього рівня валентної зони у власному германії та власному кремнії: а) при 273 К; б) при 150 К.

13. Визначити положення рівня Фермі при T = 250 К у кристалах кремнію, які леговані фосфором до концентрації 1022 м–3.

14. Розрахувати власну концентрацію носіїв заряду в кремнії при T = 300 К, якщо ширина його забороненої зони = 1,12 еВ, а ефективні маси густини станів =1,05 , =0,56 .

15. Концентрація електронів провідності в напівпровіднику дорівнює 1018 м–3. Визначити концентрацію дірок у цьому напівпровіднику, якщо відомо, що власна концентрація носіїв заряду при цієї ж температурі дорівнює 1016 м–3.

16. Розрахувати власну концентрацію носіїв заряду в арсеніді галію при T = 300 К, якщо ширина його забороненої зони = 1,43 еВ, а ефективні маси густини станів = 0,067 ; = 0,48

17. Визначити положення рівня Фермі та концентрацію неосновних носіїв заряду при T = 400 К у кремнії, легованому бором до концентрації 1023 м–3. Ширина забороненої зони кремнію = 1,12 еВ, а ефективні маси густини станів =1,05 , =0,56 . Вказівка. Врахувати, що при Т = 400 К всі атоми бора, які утворюють у кремнії мілкі акцепторні рівні, повністю іонізовані.

18. Концентрація дирок провідності в напівпровіднику дорівнює 5×1017 м–3. Визначити концентрацію електронів у цьому напівпровіднику, якщо відомо, що власна концентрація носіїв заряду при цієї ж температурі дорівнює 2×1016 м–3.

19. Рівень Фермі в кремнії при 300 К розташовано на 0,2 еВ нижче дна зони провідності. Розрахувати рівноважну концентрацію електронів і дірок у цьому напівпровіднику. Ширина забороненої зони кремнію = 1,12 еВ, а ефективні маси густини станів =1,05 та =0,56 .

20. Рівень Фермі в германії при 300 К розташовано на 0,1 еВ вище вершини валентної зони. Розрахувати рівноважні концентрації електронів і дірок у цьому матеріалі. Ширина забороненої зони германія =0,665 еВ, а ефективні маси густини станів для дірок валентної зони і для електронів зони провідності, відповідно дорівнюють: = 0,388 , = 0,55 , де – маса вільного електрона

21. У власному германії ширина забороненої зони при температурі 300 К дорівнює 0,665 еВ. На скільки потрібно повисіти температуру, щоб кількість електронів у зоні провідності збільшилась у два рази? Температурною зміною ефективної густини станів для електронів і дірок при розрахунках знехтувати.

22. При кімнатній температурі в германії ширина забороненої зони = 0,665 еВ, а власна концентрація носіїв заряду ni = 2,1×1019 м–3. У скільки разів зміниться власна концентрація ni, якщо температуру підняти до 200°С. Ефективні маси густини станів для дірок валентної зони і для електронів зони провідності, відповідно, дорівнюють: = 0,388 , = 0,55 , де – маса вільного електрону. Коефіцієнт температурної зміни ширини забороненої зони b = –3,9´10–4 еВ/К.

23. У власному германії ширина забороненої зони при температурі 300 К дорівнює 0,665 еВ, а власна концентрація носіїв заряду ni = 2,1×1019 м–3. Ефективні маси густини станів для дірок валентної зони і для електронів зони провідності відповідно дорівнюють: = 0,388 , = 0,55 , де – маса вільного електрона. Коефіцієнт температурної зміни ширини забороненої зони b = –3,9´10–4 еВ/К. Визначити, як зміниться концентрація дірок германія, якої містить милкі донори в концентрації Nd = 1022 м–3, при його нагріванні від 300 до 400 К.

24. Знайти повну концентрацію іонізованих домішок Nи в напівпровіднику n-типу, якщо концентрація компенсуючіх акцепторів Nа, а концентрація основних носіїв заряду n.

25. Розрахувати власну концентрацію носіїв заряду в арсеніді галію при температурі 300 і 500 К, якщо ефективні маси густини станів = 0,067 ; = 0,48 , а температурна зміна ширини забороненої зони підкоряється виразу =1,522— 5,8×10–4Т2/(Т+300).

26. Визначити положення рівня Фермі при температурі Т = 300 К в арсеніді галію, якій легований телуром до концентрації Nте =1023 м–3. Ефективні маси густини станів = 0,067 ; = 0,48 , а температурна зміна ширини забороненої зони підкоряється виразу =1,522— 5,8×10–4Т2/(Т+300). Пояснити, чому і як зміщається рівень Фермі цього напівпровідника зі зниженням температури.

27. Розрахувати власну концентрацію носіїв заряду в арсеніді галію при температурі 400 і 450 К, якщо ефективні маси густини станів = 0,067 ; = 0,48 , а температурна зміна ширини забороненої зони підкоряється виразу =1,522— 5,8×10–4Т2/(Т+300).

28. Розрахувати, у скількох разів розрізняються рівноважні концентрації дірок при кімнатній температурі в кристалах кремнію й арсеніду галію, що мають однакову концентрацію донорних домішок Nд = 1021 м–3. Ширина забороненої зони кремнію = 1,12 еВ, а ефективні маси густини станів =1,05 , =0,56 .

29. Визначити, як зміниться концентрація електронів в арсеніді галію, легованому цинком до концентрації NZn = 1022 м–3 при підвищенні температури від 300 до 500 К. Вважати, що при 300 К всі атоми цинку повністю іонізовані.

30. Кристал арсеніду індію легований сіркою так, що надлишкова концентрація донорів Nд–Nа =1022 м–3. Чи можна вважати, що при температурі Т=300 °С електричні параметри цього напівпровідника близькі параметрам власного арсеніду індію, якщо ефективні маси густини станів для електронів = 0,023 , для дірок =0,43 , а ширина забороненої зони (еВ) InAs змінюється з температурою за законом 0,462–3,5×10– 4 Т.

31. Розрахувати положення рівня Фермі при Т = 300 К в кристалах германія, що містять м-3 атомів миш'яку і м-3 атомів галію.

32. Розрахувати число атомів в одиниці об'єму кристала кремнію при температурі 300 К, якщо період кристалічної ґратки дорівнює 0,54307 нм.

33. Розрахувати положення рівня Фермі при Т = 300 К в кристалах кремнія, що містять 5×1018 м-3 атомів бору і 1018 м-3 атомів фосфору.

34. Розрахувати число атомів в одиниці об'єму кристала германію при температурі 300 К, якщо період кристалічної ґратки дорівнює 0,56503 нм.

35. Визначити число атомів галію і миш'яку в одиниці об'єму кристала арсеніду галію GaAs, якщо відомо, що щільність матеріалу при 300 К дорівнює 5,32 Мг/м3 .

36. Розрахувати період кристалічної ґратки антимоніду індію InSb, якщо відомо, що щільність кристалів досконалій структури і високої чистоти складає 5,78 Мг/м3. Виконати аналогічний розрахунок для кристалів кремнію і германія, прийнявши їхні щільності рівними 2,3283 і 5,3267 Мг/м3, відповідно.

37. У кристалах арсеніду галію на кожні 106 атомів галію приходиться один атом цинку. Вважаючи, що ефективна маса густини станів для дірок валентної зони mv = 0,48m0, знайти положення рівня Фермі при 300 К.

38. У наближенні моделі водень подібного атома розрахувати для кремнію германія енергію іонізації донора DWд і боровський радіус його електронної орбіти rд. При розрахунку ефективну масу електронів mn у кремнії і германії прийняти рівної відповідно 0,5mo і 0,2mo. Діелектричні проникності напівпровідників: eSi = 12,5; eSi = 16.

39. В арсеніді галію ефективна маса електронів mn=0,07mo, а діелектрична проникність e = 13. Визначити, при якій мінімальній концентрації донорів стануть помітні ефекти, зв'язані з перекриттям електронних оболонок сусідніх домішкових атомів.

40. У наближенні моделі водень подібного атома оцінити, у скількох разів відрізняються енергії іонізації донорів у кремнії й в арсеніді галію, якщо ефективні маси електронів відповідно дорівнюють 0,5mо і 0,067mо, а діелектричні проникності цих матеріалів: eSi = 12,5; eGaAs = 13,l.

41. Визначити положення рівня Фермі в кристалі арсеніду галію, легованому цинком до концентрації 1023 м-3 при температурі: а) 300 К; б) 400 К. Вважати, що при кімнатній температурі всі атоми цинку іонізовані.

42. У кристалах арсеніду галію розчинено 10-5 ат.% телуру. Знайти положення рівня Фермі щодо середини забороненої зони при Т = 500 К. Ефективні маси густини станів = 0,067 ; = 0,48 , а температурна зміна ширини забороненої зони підкоряється виразу =1,522— 5,8×10–4Т2/(Т+300). Щільність арсеніду галію d = 5,32 Мг/м3

43. Визначити положення рівня Фермі в кристалі арсеніду галію, легованому цинком до концентрації 1022 м-3 при температурі: а) 350 К; б) 420 К. Вважати, що при кімнатній температурі всі атоми цинку іонізовані.

44. В епітаксійних шарах арсеніду галію надлишкова концентрація донорів Nд — Na = . Визначити положення рівня Фермі і концентрацію неосновних носіїв заряду при температурі 500 K. Ефективні маси густини станів = 0,067 ; = 0,48 , а температура зміна ширини забороненої зони підкоряється виразу =1,522— 5,8×10–4Т2/(Т+300).

45. Встановлено, що в кристалі арсеніду галію масова частка сірки 10-5 % і масова частка цинку 10-5%. Визначити положення рівня Фермі при температурі 1000 К. Вважати густину арсеніду галію d = 5,32 Мг/м3

46. Для отримання ефективних світлодіодів червоного випромінювання епітаксійні шари фосфіду галію леговані одночасно цинком, киснем і телуром. У результаті аналізу встановлено, що концентрація цих домішок у кристалі складає ; і м-3, відповідно. Знайти концентрацію основних носіїв заряду.

47. У кристалі антимоніду індія на кожні 106 атомів сурми приходитися один атом кремнію і два атоми олова. Визначити концентрації електронів і дірок у цьому напівпровіднику при кімнатній температурі, якщо власна концентрація носіїв заряду в антимоніді індію ni = м-3, а його густина d = 5,78 Мг/м3.

48. Визначити довжину хвилі де Бройля для електронів, які рухаються зі середньою тепловою швидкістю в кристалі арсеніду галію при кімнатній температурі, якщо ефективна маса електронів mn=0,07mо. Отриманий результат порівняти з довжиною хвилі де Бройля для електронів, які рухаються в кристалі міді. Який висновок можна зробити про вплив мікродефектів структури на рухомість електронів у напівпровідниках і металах?

49. У власний германій, у якого за нормальними умовами ni = pi = м-3, увели дрібні донори в концентрації Nд = ni = м-3. Можна лі рахувати, що результуюча концентрація електронів зростає в два разі, якщо іонізовані всі донори?

50. Докажіть, що для рівноважних концентрацій основних і неосновних носіїв заряду справедливо наступні вирази:

; ,

де Wi — рівень, який відповідає середині забороненої зони.

51. Оцінити теплову і дрейфову швидкість електронів при 300 К в германії n-типу з концентрацією донорів Nд = 1022 м-3, якщо щільність струму крізь зразок j = 104 А/м2, а ефективна маса електронів провідності mn = 0,12mo.

52. Визначити, у скільки разів дрейфова швидкість електронів у германії n-типу з Nд = 1022 м-3 відрізняється від дрейфової швидкості електронів у міді при пропусканні крізь них електричного струму однакової щільності j = 104 А/м2. Пояснити причину різниці швидкостей.

53. Оцінити теплову і дрейфову швидкість дірок при 300 К в кремнію p-типу з концентрацією акцепторів Nа = 1019 м-3, якщо щільність струму крізь зразок j = 103 А/м2, а ефективна маса дірок провідності mn = 0,56mo.

54. Визначити питомий опір напівпровідника n-типу, якщо концентрація електронів провідності в ньому дорівнює 1022 м-3, а їх рухомість m = 0,5 м2/(В×с).

55. Визначити питомий опір напівпровідника p-типу, якщо концентрація дірок провідності в ньому дорівнює 1021 м-3, а їх рухомість m = 0,19 м2/(В×с).

56. Що розуміється під розсіянням носіїв заряду в напівпровідниках, які основні механізми цього явища? Оцінити середній час і довжину вільного пробігу носіїв заряду при температурі Т = 300 К, якщо їх рухомість m = 0,1 м2/(В×с), а ефективна маса m* = 0,26m0.

57. При напруженості електричного полю 100 В/м щільність струму крізь напівпровідник 6×104 А/м2. Визначити концентрацію електронів провідності в напівпровіднику, якщо ї

© 2013 wikipage.com.ua - Дякуємо за посилання на wikipage.com.ua | Контакти