ВІКІСТОРІНКА
Навигация:
Інформатика
Історія
Автоматизація
Адміністрування
Антропологія
Архітектура
Біологія
Будівництво
Бухгалтерія
Військова наука
Виробництво
Географія
Геологія
Господарство
Демографія
Екологія
Економіка
Електроніка
Енергетика
Журналістика
Кінематографія
Комп'ютеризація
Креслення
Кулінарія
Культура
Культура
Лінгвістика
Література
Лексикологія
Логіка
Маркетинг
Математика
Медицина
Менеджмент
Металургія
Метрологія
Мистецтво
Музика
Наукознавство
Освіта
Охорона Праці
Підприємництво
Педагогіка
Поліграфія
Право
Приладобудування
Програмування
Психологія
Радіозв'язок
Релігія
Риторика
Соціологія
Спорт
Стандартизація
Статистика
Технології
Торгівля
Транспорт
Фізіологія
Фізика
Філософія
Фінанси
Фармакологія


Параметри уніполярних транзисторів

Загрузка...

Основним параметром уніполярних транзисторів є крутизна прохідної ВАХ, яка визначається рівнянням

, .

На величину крутизни значний вплив має об’ємний опір частини приладу, прилеглого до витоку і значення зменшується

 

,

а диференціальний опір

,

в області насичення великий, декілька МОм.

Гранична частота

визначається в основному постійною часу заряду ємності затвору

,

де – ємність затвору;

– середній опір каналу.

– початковий струм стоку, при і при рівному або більшій напрузі насичення.

Еквівалентна схема уніполярного транзистора подана на рис. 3.19.

Рисунок 3.19 – Малосигнальна еквівалентна схема уніполярного транзистора

Частотні властивості уніполярних транзисторів

 

Принцип дії польових транзисторів не зв’язаний з інжекцією неосновних носіїв заряду в базі та їх відносно повільним рухом до КП. Це прилад без інжекції, тому інерційність та частотні властивості польових транзисторів з р-n переходом зумовлена інерційністю процесу заряду і розряду бар’єрної ємності р-n переходу затвору. Напруга на затворі змінитися миттєво не може, оскільки бар’єрна ємність р-n переходу перезаряджається струмами, які проходять через розподілений опір каналу та через об’ємний опір кристалу напівпровідника біля стоку і витоку. Тому не може миттєво змінитися і переріз каналу.

На низьких частотах повний вхідний опір польового транзистора з р-n переходом визначається великим значенням . З ростом частоти вхідний опір зменшується за рахунок наявності ємності . Таким чином, дя керування польовим транзистором на високих частотах необхідна велика потужність вхідного сигналу.

Крім того, наявність прохідної ємності , призводить до виникнення в польових транзисторах частотно-залежного зворотного зв’язку. З ростом частоти він збільшується через коло , що еквівалентно зменшенню повного вхідного опору і зменшенню його посилення.

При аналізі частотних властивостей польових транзисторів з ізольованим затвором необхідно враховувати, що активний опір між затвором і витоком, між затвором і стоком виявляється дуже великим. Тому ними можна знехтувати навіть на відносно малих частотах в порівнянні з паралельно ввімкненими ємнісними опорами, можна знехтувати також дуже малими опорами і , які являють собою опори сильно легованих областей напівпровідника під витоком і стоком.

Швидкодія польових транзисторів з ізольованим затвором визначається часом перезаряду розподіленої ємності між затвором та каналом. Постійні часу перезарядки цієї ємності при малому зовнішньому опору в колі затвору обмежують робочий діапазон частот польових транзисторів з ізольованим затвором частотами близько 10 ГГц, оскільки принципово такі транзистори можуть працювати приблизно до тих частот, що і біполярні.

Еквівалентна схема має вигляд, поданий на рис. 3.20.

 

Рисунок 3.20 – Еквівалентна схема польового транзистора

3.14 Запитання та завдання для самоконтролю

1. Як можна збільшити швидкодію транзистора, що працює в режимі ключа?

2. Чи залежать параметри транзистора в діапазоні частот до 800-1000 Гц від частоти?

3. Що є основою транзистора?

4. Назвіть основні параметри польових транзисторів.

5. Чим визначається швидкодія польових транзисторів з ізольованим затвором?

6. Що являє собою канальний транзистор?

7. У чому полягає перевага польових транзисторів над біполярними?

8. Для чого застосовуться додатовихй затвор?

9. Охарактеризуйте режим збіднення.

Література [10-16]


ПОКАЗНИКИ ТА ХАРАКТЕРИСТИКИ

АНАЛОГОВИХ ЕЛЕКТРОННИХ ПРИСТРОЇВ

 

Коефіцієнти підсилення

 

Коефіцієнт підсилення – один з найважливіших показників анало­гових електронних пристроїв, який показує у скільки разів корисний ефект, при заданому навантаженні на виході пристрою, більше ефекту, зумовленого джерелом сигналу на його вході.

Корисний ефект на виході може визначатися напругою, струмом та потужністю. На підставі цього пристрій підсилювач характеризують коефіцієнтами підсилення напруги , струму та потужності

 

; (4.1)
; (4.2)
, (4.3)

 

де ; ; ; ; ; .

Коефіцієнти підсилення напруги та струму становлять величини комплекснозначні, а потужності – дійсну.

Наявність у схемі підсилювача та його навантаженні реактивних елементів спричиняє додатковий фазовий зсув сигналів та , та – кути фазового зсуву відповідних векторів.

У багатокаскадних підсилювачах ці коефіцієнти визначаються з виразів

 

, (4.4)
, (4.5)

 

де , , …, – коефіцієнти підсилення кожного окремого каскаду.

Для оцінки співвідношення двох величин однакової розмірності використовується логарифмічна одиниця децибел (дБ)

 

, (4.6)
, (4.7)
. (4.8)

 

Вирази, що використовуються для зворотного перетворення, мають вигляд

 

, (4.9)
. (4.10)

 

У деяких випадках використовується також непер (Нп)

 

, . (4.11)

 

Якщо використовуємо логарифмічні одиниці, бувають випадки, коли необхідно визначати коефіцієнт підсилення багатокаскадного під­силювача

 

, (4.12)

 

де – коефіцієнт підсилення окремого каскаду;

– кількість каскадів.

 

Загрузка...

© 2013 wikipage.com.ua - Дякуємо за посилання на wikipage.com.ua | Контакти