ВІКІСТОРІНКА
Навигация:
Інформатика
Історія
Автоматизація
Адміністрування
Антропологія
Архітектура
Біологія
Будівництво
Бухгалтерія
Військова наука
Виробництво
Географія
Геологія
Господарство
Демографія
Екологія
Економіка
Електроніка
Енергетика
Журналістика
Кінематографія
Комп'ютеризація
Креслення
Кулінарія
Культура
Культура
Лінгвістика
Література
Лексикологія
Логіка
Маркетинг
Математика
Медицина
Менеджмент
Металургія
Метрологія
Мистецтво
Музика
Наукознавство
Освіта
Охорона Праці
Підприємництво
Педагогіка
Поліграфія
Право
Приладобудування
Програмування
Психологія
Радіозв'язок
Релігія
Риторика
Соціологія
Спорт
Стандартизація
Статистика
Технології
Торгівля
Транспорт
Фізіологія
Фізика
Філософія
Фінанси
Фармакологія


Основное отличие полевых транзисторов от биполярных

Первоначальное название полевых транзисторов - униполярные транзисто­ры - было связано с тем, что в таких транзисторах используется основные носители только одного типа (электроны или дырки).

 

Основные процессы в полевых транзисторах

 

Процессы инжекции и диффузии в та­ких транзисторах практически отсутствуют, во всяком случае, они не играют прин­ципиальной роли. Основным способом движения носителей является дрейф в электрическом поле.

 

Способы управления током

 

Для того чтобы управлять током в полупроводнике при постоянном электри­ческом поле, нужно изменять удельную проводимость полупроводникового слоя или его площадь. На практике используются оба способа и основаны они на эффекте поля (управление напряжением на затворе). Поэтому униполярные транзисторы обычно называют полевыми транзисторами.

 

Приповерхностные и объемные каналы

 

Проводящий слой, по которому протекает ток, называют каналом. Отсюда еще одно название такого класса транзисто­ров - канальные транзисторы. Каналы могут быть приповерхностными и объемными.

Приповерхностные ка­налы представляют собой либо обогащенные слои, обусловленные наличием донорных примесей в диэлектрике, либо инверсионные слои, образующиеся под действием внешнего поля.

Объемные каналы представляют собой участки одно­родного полупроводника, отделенные от поверхности обедненным слоем.

 

Полевые транзисто­ры с р–n переходом

 

Транзисторы с объемным каналом отличаются тем, что обедненный слой со­здается с помощью р-n перехода. Поэтому их часто называют полевыми транзисто­рами с р–n переходом или просто полевые транзисторы. Транзисторы такого типа впервые описаны Шокли.

 

Транзисторы с n-каналом и р-каналом

 

Существуют транзисторы с n-каналом и р-каналом, они показаны на рис. 59.а и 59.б соответственно,

где:

затвор – управляющий электрод;

исток – электрод, от которого начинают движение основные носители (в первом типе - электроны, во втором - дырки);

сток – электрод, прини­мающий основные носители.

 

Рис. 59. Полевые n-канальные (a) и р-канальные (б) транзисторы
с управляющим р-n - пере­ходом

Схемы включения

По аналогии с биполярными транзисторами различают три схемы включе­ния полевых транзисторов:

· с общим затвором (ОЗ);

· с общим истоком (ОИ);

· с об­щим стоком (ОС).

Схема для исследования ВАХ транзистора

Для исследования семейства выходных ВАХ полевого транзистора в схеме с общим истоком используется схема, приведенная на рис. 60. Она содержит источник напряже­ния затвор-исток , исследуемый транзистор , источник питания , вольт­метр для контроля напряжения сток-исток и амперметр для измерения тока стока .

 

Рис.60. Схема для исследования ВАХ полевого транзистора
с управляющим р-n – переходом

 

Выходная ВАХ снимается при фиксированных значениях путем измене­ния напряжения и измерения тока стока . Напряжение , при котором ток стока на выходных характеристиках прекращает рост, называется напряжением насыщения. Характеристика , построенная при напряжении , равном напряжению насыщения, называется управляющей характеристикой. По управляющей характеристике определяется крутизна , которая является наиболее важной характеристикой полевого транзистора как усилительного прибора.

МДП-транзисторы

 

Другой тип полевых транзисторов - транзисторы с приповерхностным кана­лом и структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзисторы). В част­ном случае, если диэлектриком является окисел (двуокись кремния), используется название МОП-транзисторы.

МДП-транзисторы бывают двух типов: транзисторы со встроенным и с инду­цированным каналами (в последнем случае канал наводится под действием напря­жения, приложенного к управляющим электродам).

 

Режимы работы МДП-транзисторов

 

Транзисторы со встроенными каналами могут работать как в режиме обеднения канала но­сителями заряда, так и в режиме обогащения.

Транзисторы с инду­цированными каналами мож­но использовать только в режиме обогащения.

 

© 2013 wikipage.com.ua - Дякуємо за посилання на wikipage.com.ua | Контакти