ВІКІСТОРІНКА
Навигация:
Інформатика
Історія
Автоматизація
Адміністрування
Антропологія
Архітектура
Біологія
Будівництво
Бухгалтерія
Військова наука
Виробництво
Географія
Геологія
Господарство
Демографія
Екологія
Економіка
Електроніка
Енергетика
Журналістика
Кінематографія
Комп'ютеризація
Креслення
Кулінарія
Культура
Культура
Лінгвістика
Література
Лексикологія
Логіка
Маркетинг
Математика
Медицина
Менеджмент
Металургія
Метрологія
Мистецтво
Музика
Наукознавство
Освіта
Охорона Праці
Підприємництво
Педагогіка
Поліграфія
Право
Приладобудування
Програмування
Психологія
Радіозв'язок
Релігія
Риторика
Соціологія
Спорт
Стандартизація
Статистика
Технології
Торгівля
Транспорт
Фізіологія
Фізика
Філософія
Фінанси
Фармакологія


Термоелектричні явища: Зеєбека, Пельтьє, Томсона та їх використання

Згідно з другим законом Вольта, в замкнутому колі, що складається з декількох металів, що перебувають при однаковій температурі, е. р. с. не виникає, тобто не відбувається збудження електричного струму. Проте, якщо температура контактів не однакова, то в колі виникає електричний струм, який називається термоелектричним.

Явище збудження термоелектричного струму (явище Зеєбека), а також тісно пов'язані з ним явища Пельтье і Томсона називаються термоелектричними явищами.

1. Явище Зеєбека (182 р.): в замкнутому колі, що складається з послідовно з'єднаних різнорідних провідників, контакти між якими мають різну температуру, виникає електричний струм.

Розглянемо замкнуте коло, що складається з двох металевих провідників 1 і 2 з температурами спаїв T1 (контакт АТ2(контакт В), причому Т1 > Т2(рис. 32.2).

Рис. 32.2

Встановлено, що в замкнутому колі для багатьох пар металів (наприклад, Сu – Bi, Ag – Сu, Аu – Сu) е. р. с. прямо пропорційна різниці температур в контактах:

Ця е. р. с. називається термоелектрорушійною силою. Напрям струму при Т1 > Т2на рис. 32.2 показаний стрілкою. Термоелектрорушійна сила, наприклад для пари металів мідь – константан, для різниці температур 100 K становить всього 4,25 мВ.

Причину виникнення термоелектрорушійної сили видно вже з формули

,

що визначає внутрішню контактну різницю потенціалів на межі двох металів. Справа полягає в тому, що положення рівня Фермі залежить від температури. Тому, якщо температури контактів різні, то різними будуть і внутрішні контактні різниці потенціалів. Таким чином, сума стрибків потенціалу відмінна від нуля, що і приводить до виникнення термоелектричного струму. Відзначимо також, що при градієнті температури відбувається і дифузія електронів, яка теж обумовлює термо-е. р. с.

Явище Зеєбека не суперечить другому принципу термодинаміки, оскільки в даному випадку внутрішня енергія перетвориться в електричну, для чого використовується два джерела теплоти (два контакти). Отже, для підтримування постійного струму в колі, що розглядається, необхідно підтримувати постійність різниці температур контактів: до більш нагрітого контакту безперервно підводити теплоту, а від холодного – безперервно її відводити.

Явище Зєєбека використовується для вимірювання температури. Для цього застосовуються термоелементи, або термопари – датчики температур, що складаються з двох сполучених між собою різнорідних металевих провідників. Якщо контакти (звичайно спаї) провідників, що створюють термопару, перебувають при різних температурах, то в колі виникає термоелектрорушійна сила, яка залежить від різниці температур контактів і природи використовуваних матеріалів. Чутливість термопар буде вищою, якщо їх сполучити послідовно. Ці з'єднання називаються термобатареями (або термостовпчиками).

Термопари застосовуються як для вимірювання надмалих різниць температур, так і для вимірювання дуже високих і дуже низьких температур (наприклад, усередині доменних печей або рідких газів). Точність визначення температури за допомогою термопар складає, як правило, декілька кельвін, а у деяких термопар вона досягає 0,01 К.

Термопари мають ряд переваг порівняно зі звичайними термометрами, а саме: мають велику чутливість і малу інерційність, дозволяють проводити вимірювання в широкому інтервалі температур і допускають дистанційні вимірювання.

Явище Зєєбека у принципі може бути використано для генерації електричного струму. Так, вже зараз к.к.д. напівпровідникових термобатарей досягає приблизно 18 %. Отже, удосконалюючи напівпровідникові термоелектрогенератори, можна досягти ефективного прямого перетворення сонячної енергії в електричну.

2. Явище Пельтьє (1834 р.) полягає в тому, що при проходженні через контакт двох різних провідників електричного струму, залежно від його напряму, крім джоулевої теплоти, виділяється або поглинається додаткова теплота.

Таким чином, явище Пельтьє є оберненим відносно явища Зєєбека. На відміну від джоулевої теплоти, яка пропорційна квадрату сили струму, теплота Пельтьє пропорційна першому ступеню сили струму і змінює знак при зміні напряму струму.

Розглянемо замкнуте коло, що складається з двох різнорідних металевих провідників 1 і 2 (рис. 32.3), по яких пропускається струм (його напрям в даному випадку вибраний співпадаючим з напрямом термоструму (на рис. 32.2 за умови Т1 > Т2)). Згідно зі спостереженнями Пельтьє, спай А, який при явищі Зеєбека підтримувався б при більш високій температурі, тепер охолоджуватиметься, а спай В – нагріватиметься. При зміні напряму струму спай А нагріватиметься, а спай В – охолоджуватиметься.

Рис. 32.3

Пояснити явище Пельтьє можна таким чином. Електрони по різні боки спаю мають різну середню енергією (повну – кінетичну плюс потенціальну). Якщо електрони (напрям їх руху заданий на рис. 32.3 пунктирними стрілками) пройдуть через спай В і потраплять в область з меншоюенергією, то надлишок своєї енергії вони віддадуть кристалічним граткам, і спай нагріватиметься. В спаї А електрони переходять в областьз більшою енергією, забираючи тепер енергію, якої не вистачає, у кристалічних граток, і спай охолоджуватиметься.

Явище Пельтье використовується в термоелектричних напівпровідникових холодильниках.

3. Явище Томсона (1856 р.) полягає в тому, що при проходженні струму по нерівномірно нагрітому провіднику має відбуватися додаткове виділення (поглинання) теплоти, аналогічної теплоті Пельтьє.

Це явище можна пояснити таким чином. Оскільки в більш нагрітій частині провідника електрони мають більшу середню енергію, ніж в менш нагрітій, то, рухаючись у напрямі зменшення температури, вони віддають частину своєї енергії граткам, внаслідок чого відбувається виділення теплоти Томсона. Якщо ж електрони рухаються у бік зростання температури, то вони, навпаки, поповнюють свою енергію за рахунок енергії граток, внаслідок чого відбувається поглинання теплоти Томсона.

 

 


ЛЕКЦІЯ 33

Контакт електронного і діркового напівпровідників (р-п-перехід)

1. Електронно-дірковий перехід (р-п-перехід)

Границя стикання двох напівпровідників, один з яких має електронну, а другий – діркову провідність, називається електронно-дірковим переходом(р-п-переходом).Ці переходи мають велике практичне значення, оскільки вони лежать в основі роботи багатьох напівпровідникових приладів.

Перехід не можна здійснити просто механічним з'єднанням двох напівпровідників: його створюють або при вирощуванні кристалів, або при їх відповідній обробці. Наприклад, для отриманняр-п-переходу на кристал германію п-типунакладається індієва "таблетка" (рис. 33.1, а). Ця система нагрівається приблизно при 500 °С у вакуумі або в атмосфері інертного газу; атоми індія дифундують на деяку глибину в германій. Потім розплав поволі охолоджують. Оскільки германій, що містить індій, має діркову провідність, то на границі розплаву, що закристалізувався, і германію п-типу утворюється р-п-перехід (рис. 33.1, б).

Рис. 33.1

2. Фізичні процеси, що відбуваються в р-п-переході

Електрони з п-напівпровідника, де їх концентрація вище, будуть дифундувати в р-напівпровідник, де їх концентрація нижче. Дифузія ж дірок відбувається у зворотному напрямі – у напрямі р п. В п-напівпровіднику через вихід електронів поблизу межі залишається некомпенсований позитивний об'ємний заряд нерухомих іонізованих донорних атомів. В р-напівпровіднику через вихід дірок поблизу межі утворюється негативний об'ємний заряд нерухомих іонізованих акцепторів (рис. 33.2). Ці об'ємні заряди утворюють поблизу границі подвійний електричний шар, поле якого, направлене від п-області до р-області, перешкоджає подальшому переходу електронів у напрямі п р і дірок у напрямі р п . Якщо концентрації донорів і акцепторів в напівпровідниках п- і р-типу однакові, то товщина шарів, в яких локалізуються нерухомі заряди, однакова.

Рис. 33.2

Провідність p-n-переходу

Товщина шару p-n-переходув напівпровідниках складає приблизно 10-6 – 10-7 м, а контактна різниця потенціалів – десяті частки вольт. Носії струму здатні подолати таку різницю потенціалів лише за температури в декілька тисяч градусів, тобто за звичайних температур рівноважний контактний шар є замикаючим(характеризується підвищеним опором).

Опір замикаючого шару можна змінити з допомогою зовнішньою електричного поля. Якщо прикладене до p-n-переходузовнішнє електричне поле направлено від n-напівпровідникадо р-напівпровідника (рис. 33.3,а), тобто співпадає з полем контактного шару, то воно викликає рух електронів в n-напівпровіднику і дірок в p-напівпровіднику від межі p-n-переходу в протилежні сторони. В результаті замикаючий шар розшириться і його опір зросте.

Рис. 33.3

Напрям зовнішнього поля, що розширює замикаючий шар, називається замикаючим (зворотним). В цьому напрямі електричний струм через p-n-перехідпрактично не проходить. Струм в замикаючому шарі в замикаючому напрямі утворюється лише за рахунок неосновних носіїв струму (електронів в р-напівпровідникуі дірок в n-напівпровіднику).

Якщо прикладене до p-n-переходузовнішнє електричне поле направлено протилежно полю контактного шару (рис. 33.3,б), то воно викликає рух електронів в n-напівпровідникуі дірок в р-напівпровідникудо границі p-n-переходуназустріч один одному. В цій області вони рекомбінують, товщина контактного шару і його опір зменшуються. Отже, в цьому напрямі електричний струм проходить крізь p-n-перехідв напрямі від р-напівпровідникадо n-напівпровідника; цей напрям називається пропускним (прямим).

Таким чином, p-n-перехідмає односторонню (вентильну) провідність.

Напівпровідникові діоди

Напівпровідниковий діод – це напівпровідниковий пристрій, що містить один p-n-перехід.

© 2013 wikipage.com.ua - Дякуємо за посилання на wikipage.com.ua | Контакти